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中国21家IGBT产品主要制造单位现状(之三)

放大字体  缩小字体 发布日期:2014-04-24  浏览次数:10516
核心提示:  三、外资、合资、民营企业    10嘉兴斯达半导体有限公司http://www.powersemi.cc  坐落于浙江省嘉兴市,占地70,815平
   三、外资、合资、民营企业

  

外资、合资、民营企业

 

  10嘉兴斯达半导体有限公司http://www.powersemi.cc

  坐落于浙江省嘉兴市,占地70,815平方米,是一家专业设计﹑制造和销售功率半导体芯片和模块的高科技美资企业。公司总投资2亿多人民币,产品可用于功率范围从0.5kW至1MW以上的不同领域,包括:变频器电焊机﹑感应加热﹑激光﹑太阳能/风能发电装置、高压直流输变电装置、家用电器、机车牵引、UPS、医疗设备等等。

  公司拥有世界上最先进的工艺制造、产品测试和老化设备,强大的研发和生产队伍。我们的宗旨是为客户提供最优的产品和最优的服务,以满足客户对功率半导体产品性能、可靠性和价格的需求,为客户创造最大的价值。

  典型产品:IGBT模块

  

嘉兴斯达半导体IGBT模块

 

  编者注:IGBT模块,电压1200V-1700V/电流1800A-3700A,水平较高,适合中大功率电力电子装置使用,应用范围广泛。虽然从在中国的美资企业进入市场,但应视作“进口”。

  11山东科达半导体有限公司http://www.kedasemi.com

  成立于2007年10月,地处山东省东营市经济开发区,注册资金5000万元人民币,由科达集团与美国STP技术公司共同投资成立的中外合资企业。公司主要设计、生产和销售IGBT、mosFET、FRD、电源管理器件等功率半导体产品。

  公司建有完善的功率半导体测试实验室和可靠性实验室,拥有大量的世界领先水平的芯片和器件的静态、动态参数测试和可靠性测试设备。静态参数测试方面,最高电压测试能力可达2000V,最大电流测试能力可达200A;动态性能测试方面,我们拥有全套的日本TESEC原产的动态参数测试系统;可靠性试验室可以满足功率器件所有常规可靠性测试。

  公司在山东省东营市建有国内一流水平的超薄晶圆背面加工厂,专门从事功率半导体晶片的减薄、刻蚀、背面金属化和离子注入等工序的加工业务。该工厂可对外提供专业代工服务。

  2010年6月,封装测试厂开工建设,项目一期已于2011年1月投产,主要进行IGBT、MOSFET、三极管、二极管等功率器件的封装,封装形式有TO220、TO247、TO3P等。项目二期计划于2011年6月开工,主要从事集成电路的超薄贴片系列及DFN、QFN等形式的封装测试。该封装厂以OEM为主要运作模式,为全球客户提供专业的半导体封装与测试服务。

  典型产品:IGBT单管

  IGBT 单管 > 1200V/58A 产品

  

山东科达半导体IGBT单管

 

  IGBT 单管 > 600V/40A 产品

  

山东科达半导体IGBT单管

 

  编者注:公司属合资企业,生产IGBT单管。用外来芯片进行封装。产品的电流较小,可满足小功率使用。

  12江苏宏微科技有限公司 http://www.macmicst.com

  是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产,具有多种专项技术的科技专家组建的高科技企业。企业的宗旨是为国内外用户提供绿色高效节能的电子产品,并提供电力电子系统的解决方案。

  业务范围

  1、设计、研发、生产和销售新一代电力电子分立器件及模块,如 IGBT、VDMOS、FRED、标准模块及用户定制模块(CSPM);

  2、新型电力电子器件的动态、静态参数测试系统与装置;

  3、高效节能电力电子装置的设计、制造及系统的解决方案,如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。

  企业宗旨

  自主创新,设计、研发、生产国际一流的 IGBT,VDMOS,FRED,分立器件及其模块,打造民族品牌;成为提供绿色高效节能电子产品和电力电子系统解决方案的专家。

  典型产品:IGBT单管和模块

  IGBT单管

  

江苏宏微单管

 

  IGBT模块

  

江苏宏微IGBT模块

 

  编者注:IGBT单管和模块,国内有志之士努力的结果。期待芯片制造也能加紧研究。

  13南京银茂微电子制造有限公司 http://www.njsme.com

  是江苏银茂(控股)集团有限公司控股的一家高新技术企业(以富有行业经验的 留美博士团队为核心),于二零零七年十一月二十九日在江苏省南京市注册成立。占地120亩的生产厂区位于溧水经济开发区,目前已投入资金近一亿元人民币,建有逾二万平方米的生产厂间及办公楼、研发楼、生活区,配置了世界上最先进的工艺制造、产品测试和可靠性测试设备,为目前国内规模最大的电力电子功率模块生产基地之一。

  南京银茂微电子制造有限公司一期项目以研发、制造和销售拥有自主知识产权的新型电力电子模块(国产IGBT功率模块、MOSFET功率模块)、全气密半气密高可靠性混合 电路电子器件、大规模变流技术核心组件为主营业务。具备年产通用功率模块65万件和高压大功率模块10万件以上的生 产能力,是目前国内最大的电力电子功率模块生产基地之一。公司产品可广泛用于功率范围0.5KW-5MW及其以上的不同领域:工业变频、新能源、电源装备、公共交通。

  典型产品:IGBT模块

  A1 系列 (67×40mm封装) 1200V/60A IGBT模块

  T1 系列 (34mm封装) 1200V/120A IGBT模块

  A5 系列 (48mm封装) 1200V/200A IGBT模块

  T2 系列 (62mm封装)

  T5 系列 (107×45mm封装) 1200V/75A IGBT模块

  T6 系列 (122×62mm封装) 1200V/100A IGBT模块

  

南京银茂微电子

 

  编者注:IGBT单管和模块。目前为国内规模最大的电力电子功率模块生产基地之一。发展至今难能可贵!

  14无锡凤凰半导体科技有限公http://www.phoenix-semi.com

  注册成立于2008年7月,由从美国归国的休斯顿大学物理学博士屈志军所带领的留美博士团队与无锡凤凰画材集团共同合作创办。注册资本7000万元。

  企业博士团队成员曾在美国同一家知名电子企业从事专业电力电子半导体器件及模块等的研发、生产、管理工作,任高级职位近十年,全面掌握芯片设计、芯片工艺、后道封装三位一体的整套技术,具有世界一流水平。

  企业以电源管理系统器件为主营产品,包括IGBT、FRED、MOSFET、功率IC芯片;电焊机、电机变频调速、灯光控制、机车牵引等功率模块。

  目前主导项目产品是称之为绿色节能之“芯”的新型电子功率器件——IGBT系列芯片及器件。IGBT对技术要求较高,目前国内尚且为空白,国内市场主要被欧美、日本企业所垄断。企业采用独有的核心技术研发生产出国内首例IGBT芯片产品,主要技术参数达到国际同类产品的先进水平”率先通过国家科技成果鉴定,开始实现产业化,打造具有国际竞争力的民族品牌——“PHOENIX”(凤凰),打破国外垄断,填补了国内空白。

  企业现坐落于江苏无锡经济开发区,拥有1.5万平方米厂房,其中1000级局部100级净化车间面积约400平方米,建设有国内首条NPT-IGBT芯片薄片生产线,也是国内中国唯一可以测量IGBT全部静态及动态参数的生产线。公司拥有芯片生产线及与生产配套的可靠性实验室、器件测试实验室(国内唯一具备6”圆片1200V以上自动测试能力)、失效分析实验室等。

  典型产品:IGBT

  600V/75A IGBT分立元件

  1200V/75A IGBT分立元件

  1700V/60A IGBT分立元件

  IGBT模块

  电焊机模块

  

无锡凤凰半导体电焊机模块

 

  IPM模块

  

无锡凤凰半导体IPM模块

 

  编者注:IGBT单管和模块。尽管电流还偏小,电压也不高。但芯片自己制造,加上自己封装,十分不容易!希望继续努力奋斗,创造更美好的明天!

  15浙江华芯科技集团有限公司http://www.walchip.com

  浙江华芯科技集团有限公司由英美归国博士于2009年12月创办,同方联合控股集团投资成立。 公司核心团队由拥有美国和英国博士学位的、并在英美著名半导体公司与大学工作十余年的归国留学人员组成,70%的人员为技术研发人员,具有大学本科以上学历,掌握功率模块与芯片设计与制造的先进技术。公司注册资金为1亿人民币,五年总投资为六亿人民币。华芯科技目前已投入3000万元,在余杭创新基地租用标准厂房3600平方米建成洁净厂房,并建立年产IGBT和晶闸管模块60万块生产线。

  华芯科技的产品规划将以IGBT芯片和IGBT模块为主,进入市场同时兼顾其它相关的电子元器件产品开发。利用功率模块技术做驱动,带动功率芯片和功率产品的研发与生产,同时完成设计两个功率半导体芯片。IGBT模块生产工艺线采用全套进口设备,主要材料均为进口,从而保证了产品的质量达到并且超过国际同类产品的水平。公司主要从事功率半导体领域从芯片至模块到最后的整机方案产品的研发和生产。

  产品包括三大类:

  第一类是功率模块,包括IGBT模块,晶闸管模块,整流桥模块,智能模块(IPM)及其它功率模块。

  第二类是功率芯片,主要为IGBT芯片,TVS ,大功率Power MOSFET芯片和用于驱动功率器件的驱动芯片。

  第三类是采用功率模块的电力电子装置产品。

  典型产品:IGBT模块(单管和半桥) 1200V/300A

  

浙江华芯IGBT模块(单管和半桥)

 

  IGBT模块:电压1200V/电流50A-300A,

  性能:低电感,开关速度快,饱和压降低,软关断特性

  封装:GC,GD.电路结构:半桥电路,斩波电路,

  编者注:IGBT单管和模块。虽然IGBT产品较少,电流电压都不高,但是芯片自己制造,自己封装,难能可贵。此外还生产多种功率模块和装置,确实不易。

  16宁波比亚迪半导体有限公司http://company.ch.gongchang.com

  2008年12月8日,位于宁波保税区南区的宁波比亚迪半导体有限公司隆重开业。

  宁波比亚迪半导体有限公司是比亚迪的全资子公司。注册资本1亿美元,定位于6英寸芯片制造与服务。目前比亚迪已具备了电动汽车驱动电机的研发能力和生产能力;除了电池技术外,又再确立了电动汽车新的驱动电机控制技术。

  开业后制造IGBT模块的芯片是从ABB等外国公司进口的,公司只是焊接封装。产品的规格为:电压1200V、电流有50A、75A、100A、150A、200A、300A、400A七种。主要用于电焊、变频器、工业控制等领域。

  一年后,2009-11-25宁波比亚迪半导体有限公司发布:L8j#l u

  公司采用自主研发的1200V IGBT和FRD芯片(未说明电流值)顺利组装成IGBT模块。此前 Zm@ O[:~曾委托中国电器工业协会电力电子分会对FRD系列芯片产品进行了技术鉴定。鉴定意见认为:产品创新性强,具有自主知识产权;主要技术性能与国际同类先进产品相当,可替代进口。鉴定委员会一致同意通过鉴定。同时,相关的6项发明专利已被正式受理。

  公司自主研发的芯片在深圳比亚迪汽车有限公司顺利组装成IGBT模块,并成功在电动汽车台架上进行了测试。这标志着宁波比亚迪终于打破了IGBT芯片技术长期被国外垄断的坚冰,填补了国内电动汽车用功率器件领域的一项空白。实现了集团IGBT芯片研发的第一步战略目标。为公司未来的电动汽车和能源战略的实施铺平了道路。

  

宁波比亚迪半导体

 

  典型产品:IGBT

  1200V IGBT电动汽车专用模块(未说明电流值)

  

1200V IGBT电动汽车专用模块(未说明电流值)

 

  编者注:电动汽车要用专用的IGBT。制造电动汽车的比亚迪汽车公司专门成立了比亚迪半导体有限公司去制造特制的 IGBT和其他半导体元件。开始进口IGBT芯片自己封装成模块。接着自主研发IGBT芯片并制成模块。1200V/400A的水平不算高,但要求寿命是普通的10倍以上,难度可想而知。精神可嘉。

  编者简介:朱英文:(1939- ),高级工程师,现任北京京仪椿树整流器有限责任公司技术顾问,中国电力电子产业网特约顾问,主要研究电力半导体器件的设计、制造、应用中的热设计和电力半导体器件主回路结构设计。曾参与专业词典、书籍的编写、翻译等工作。主要成果有:“无刷励磁发电机用旋转整流管设计和制造”,“晶闸管芯片球面磨角工艺”“大功率半导体器件用散热器风冷热阻计算方法”等。

  注:因本文内容所依据的网页可能有时间差或报道的角度不同等原因,如与现实际情况有异,欢迎与电力电子产业网联系,在接到反馈后及时更新。

 
 
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