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美国SSDI公司推出GaN FET,适用于航空航天和国防机器人及自动化领域电力电子系统

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-12-06  浏览次数:132
核心提示:美国固态设备公司(SSDI)推出用于航空航天和国防用高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、P
 美国固态设备公司(SSDI)推出用于航空航天和国防用高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL转换器、电机控制器、机器人和自动化。

 

SGF46E70系列是46A、700V,可选TO-254通孔封装和SMD1表贴封装。SGF15E100是15A、1000V,采用TO-257封装。两个系列均是结合了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管(mosFET)驱动器的共源共栅器件。

 

GaN产品以其改进的品质因数(RDS(ON)x QG)而闻名,与传统硅MOSFET相比,可提供更快的开关速度。低压、非密封GaN器件广泛用于商业应用,但SSDI专注于高功率、高压航空航天和国防应用的密封解决方案。

 
 
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