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IGBT芯片设计中使用“元胞”结构,请问“元胞”是什么?

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-06-23  浏览次数:2020
核心提示:  答:  元胞是IGBT及VDMOSFET器件中的关键结构,如图2。图1是每一个元胞的剖面图。元胞结构是为了降低导通压降。因为元胞结
   答:

  元胞是IGBT及VDmosFET器件中的关键结构,如图2。图1是每一个元胞的剖面图。元胞结构是为了降低导通压降。因为元胞结构的布局、几何形状及尺寸、元胞密度及芯片面积决定了导通压降,导通压降又是影响器件输出功率的重要参数。即该结构的功能是最大可能地降低导通压降、增加输出功率。通常每个元胞的电流容量为0.6到0.9mA,一个5A的器件要设计11000到16000个元胞并联使用,所以其中任一元胞的失效都会造成整个器件的失效。图2表示了硅片一角元胞的结构安排情况。

  

 
 
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