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基础课堂 薄膜晶体管原理知识简析

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-03-15  浏览次数:1214
核心提示:  晶体管原理知识对于刚刚开始接触电子电路设计的新人工程师来说,是非常重要的。薄膜晶体管作为一种非常常见的电子元件,在很
   晶体管原理知识对于刚刚开始接触电子电路设计的新人工程师来说,是非常重要的。薄膜晶体管作为一种非常常见的电子元件,在很多工业控制电路系统中都能看到它的身影。在今天的基础课堂知识分享中,我们将会就这种晶体管的工作原理知识展开简要介绍。

  作为绝缘栅场效应晶体管的一个重要分支,薄膜晶体管的工作状态其实跟单晶硅mosFET没有太大的区别,下面我们就以n沟MOSFET为例来说明其工作原理。这种MOSFET的物理结构如下图所示。

  

n沟MOSFET物理结构图

 

  n沟MOSFET物理结构图

  在了解了其物理结构后,接下来我们来具体分析与喜爱薄膜晶体管原理。这种晶体管的工作原理其实并不复杂,当栅极施以正电压时,栅压在栅绝缘层中产生电场,电力线由栅电极指向半导体表面,并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加,在晶体管的表面将由耗尽层转变为电子积累层,形成反型层。当达到强反型时,源漏间加上电压就会有载流子通过沟道。当源漏电压很小时,导电沟道近似为一恒定电阻,漏电流随源漏电压增加而线性增大。而当源漏电压很大时,它会对栅电压产生影响,使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱,半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小,沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢,对应线性区向饱和区过渡。当源漏电压增到一定程度,漏端反型层厚度减为零,电压在增加,此时半导体器件进入饱和区。

  以上就是本文针对薄膜晶体管原理知识,所进行的总结和年间要分析,希望能对各位新人工程师们的设计和学习有所帮助。

 
 
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