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首届中国IGBT技术创新与产业联盟学术会议在沪顺利召开

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-11-05   浏览次数:1169
核心提示:  2015年11月3日由中国IGBT技术创新与产业联盟主办,株洲南车时代电气股份有限公司承办,中国电力电子产业网协办的首届中国IGB
   2015年11月3日由中国IGBT技术创新与产业联盟主办,株洲南车时代电气股份有限公司承办,中国电力电子产业网协办的首届中国igbt技术创新与产业联盟学术会议在沪顺利召开,并取得了圆满成功。

  

 

  IGBT顶尖高手魔都论剑 芯片工艺仍是关键

  工信部及集成电路产业大基金、中科院微电子所领导,业内顶级专家及联盟理事单位的技术人员共200多位代表共襄盛举。本次论坛邀请了11位国内外技术专家,从IGBT材料、芯片、封测、应用等技术研究角度进行专题报告,充分展示联盟IGBT技术成果,分析市场需求,推动产业可持续发展。

  在学术论坛伊始,联盟理事长丁荣军院士致欢迎词,对各位领导、专家及代表对于联盟的关心和支持表示衷心感谢。联盟指导委员会主任叶甜春也在致辞中分析了我国IGBT产业与国际上的差距,并提出应进行产业链、创新链及金融链“三链整合”。

  工信部电子信息司集成电路处龙寒冰副处长代表政府主管部门对论坛召开表示祝贺,他认为,五中全会强调提高经济发展的质量效益和创新驱动,目前我国也面临节能减排以及“保增长,稳增长”的压力,同时,中国制造2025将是今后一段时间的重要战略目标,在以上各个方面,都越来越依赖于新型电力电子器件技术和产业的发展,尤其是IGBT的发展目前面临历史最好机遇,联盟必将发挥更大作用。

  原工信部电子信息司司长、联盟名誉理事长、国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武也在讲话中提出:面对当前向好形势,IGBT产业亟需“上规模、上水平”,完善产业链,同时要用好国家的政策,而联盟作为平台,要传递业界声音,发挥更大才智。

  当然,作为国内IGBT业界顶尖水平的学术论坛,主角肯定是11位技术专家,国内主流IGBT厂家及典型用户厂家均派出了自家的“技术掌门人”,电子科技大学副院长张波教授、ABB半导体Bimos R&D 部门经理Arnost Kopta博士、中车首席专家刘国友、中科君芯总工程师程炜涛 、西安卫光科技副总工程师白朝辉、江苏宏微总经理赵善麒博士、国网智能电网研究院总经理汤广福博士、中国一汽技术中心电机开发室主任赵慧超、嘉兴斯达总经理沈华博士、天津中环半导体总经理助理李翔先后做专题报告,分别从IGBT技术发展、大功率IGBT的发展趋势、功率模块中FRD与IGBT的协同工作、IGBT芯片设计、1700V IGBT设计研究、IGBT封装技术及发展、基于电力电子器件的先进输电技术、新能源车用IGBT需求分析与展望、高可靠性IGBT在新能源领域中的应用、8~12寸熔硅单晶数值模拟及技术研究等议题进行专业解读,涵盖了IGBT材料、芯片、封测以及应用,与会代表亦提出许多高水平的问题,各位专家均给予及时解答,现场讨论气氛十分热烈。

  联盟秘书长肖向锋先生在总结发言中对本次论坛给予了很高评价:“信息量巨大,内容丰富,演讲精彩”。肖秘书长认为,目前我国IGBT产业的两种发展模式(IDM模式和虚拟IDM模式)均有各自优势,联盟将搭好平台,为整合全产业链发挥更大作用。并表示,中国IGBT技术创新与产业联盟自成立以来,不断推进自身建设,联盟宣传平台、会员发展与交流等工作稳步推进,国家、部委政策信息上传下达,联盟知名度和影响力不断提升。 相信在各成员的共同努力下,联盟会为我国电力电子技术及产业可持续发展做出更大贡献。

 
 
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