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南车时代电气IGBT研发应用获中国电子学会科技进步类一等奖

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-04-28   浏览次数:70
核心提示:  近日,第十届中国电子信息技术年会在北京举行。由南车时代电气完成的《高压高功率密度IGBT芯片和模块研究开发及其应用》项目
   近日,第十届中国电子信息技术年会在北京举行。由南车时代电气完成的《高压高功率密度IGBT芯片和模块研究开发及其应用》项目被授中国电子学会科技进步类一等奖荣誉。

  《高压高功率密度IGBT芯片和模块研究开发及其应用》是对高功率密度IGBT的关键技术进行攻关研究,在芯片设计、仿真优化、工艺整合、模块设计、封装测试、考核验证、批量应用等方面取得突破,形成了一整套自主开发的高功率密度IGBT及其配套FRD芯片及模块的设计技术和制造与封装工艺,全面建成了完全自主知识产权的高功率密度IGBT芯片及模块的“设计-工艺-应用”产业化平台。这彻底打破我国在高端IGBT芯片领域核心技术与产品长期受制于人的局面。

  研究成果经过严格的测试与应用考核,各项技术指标处于国际领先水平。产品在不同的领域成功实现批量应用,打通了我国先进功率半导体芯片-模块-装置-系统的完整产业链。

  同时,南车时代电气半导体事业部副总经理刘国友被评为“十佳中国电子学会优秀科技工作者”。

 
 
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